Tenue aux courts-circuits IGBT
Le temps de tenue en court-circuit de l'IGBT est lié à sa transconductance ou gain et à la capacité thermique de la puce IGBT. Des gains plus élevés entraînent des courants de court-circuit plus élevés dans l'IGBT, il est donc clair que les IGBT à faible gain ont des niveaux de court-circuit plus bas. Cependant, des gains plus élevés entraînent également des pertes de conduction dans l’état plus faibles et des compromis doivent être faits. Le développement de la technologie IGBT contribue à la tendance à l'augmentation du niveau de courant de court-circuit, tout en réduisant le temps de résistance au court-circuit. En outre, les progrès technologiques ont permis de réduire la taille des puces, de réduire la taille des modules, mais de réduire la capacité calorifique et de réduire le temps de tolérance.
De plus, il a une relation étroite avec la tension collecteur-émetteur IGBT, de sorte que la tendance parallèle du variateur de vitesse industriel tend vers des niveaux de tension de bus CC plus élevés, réduisant davantage le temps de tenue au court-circuit. Dans le passé, cette plage de temps était de 10 µs, mais ces dernières années, la tendance a été de 5 µs 3 et, dans certaines conditions, de 1 µs.
En outre, le temps de résistance aux courts-circuits de différents appareils est également très différent. Il est donc généralement recommandé, pour les circuits de protection IGBT, de créer une marge supérieure au temps de résistance nominal aux courts-circuits.
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