Dec 19, 2018 Laisser un message

Mettre l’accent sur les tendances de l’industrie et de promouvoir le développement de la technologie de carbure de silicium

Mettre l’accent sur les tendances de l’industrie et de promouvoir le développement de la technologie de carbure de silicium

Sous la direction de technologie de base de semiconducteurs de puissance nouvelle génération, l’avantage principal des SiC (carbure de silicium), comparée à celle des modules IGBT traditionnels est que les pertes de commutation sont considérablement réduite. Mitsubishi Electric commence des recherches sur cette technologie dès 1994. Après 24 ans, Mitsubishi Electric a développé avec succès la première et seconde générations, carbure de silicium puces et atteint une production massive. En outre, Dr Gourab Majumdar a dit, « Mitsubishi Electric est essayer de convertir à la troisième génération. »

Pourquoi est l’engagement de Mitsubishi Electric à R&D et produit de stockage pour la technologie SiC ? Dr.GourabMajumdar fait une interprétation technique. Comparé à silicium monocristallin, carbure de silicium a résistance à hautes températures (la température maximum de silicium monocristallin est de 170 ° C, tandis que le carbure de silicium résiste à 200 ° C), faible consommation (par rapport au silicium monocristallin, Réduit la consommation de 70 %), des applications de haut niveau de fiabilité et d’autres avantages. Comme un composant de puissance avec sa propre fonction d’économie d’énergie, carbure de silicium, naturellement, a des avantages et peut ouvrir de nouveaux marchés. Selon les rapports, ligne de production de carbure de silicium de 6 pouces de Mitsubishi Electric se trouve à Kumamoto, Kyushu, Japon et devrait être produit en série en 2019.

À l’heure actuelle, les domaines d’application des dispositifs de convertisseur continu-alternatif basés sur les dispositifs de puissance en carbure de silicium sont en expansion. Malgré le coût, la pénétration du marché des dispositifs de puissance en carbure de silicium est très faible, mais avec l’avancement de la technologie, le coût de carbure de silicium va baisser rapidement, et il deviendra le produit grand public dans le marché de semi-conducteurs de puissance dans le le futur.

Sur les perspectives d’application des dispositifs de puissance en carbure de silicium, Dr Gourab Majumdar admet, « à l’heure actuelle, le marché est dans la période de transition du monocristallin silicium au silicium en carbure. Nous sommes très impatients de ce marché de plus en plus mature, et Mitsubishi Electric sera également dans ce domaine. Plus de performance, fournissant des produits plus abondants et meilleurs aux clients. »


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